Większe znaczenie ma kształt tranzystorów 2 nm od IBM niż ich rozmiar

Rozmiar 2 nm jest imponująco mały, ale te tranzystory również wykorzystują innowacyjną konstrukcję „nanopłytki”, która poprawia ich wydajność energetyczną.

IMB 2 nm chip
Zbliżenie płytki 2 nm wykonanej w zakładzie IBM Research w Albany, z pojedynczymi chipami widocznymi gołym okiem.

Firma IBM ogłosiła w zeszłym tygodniu, że opracowała technologię produkcji chipów z tranzystorami 2 nm. Być może kojarzysz, że mniejsze tranzystory ogólnie albo pomagają poprawić wydajność, albo efektywność energetyczną. Obecny stan techniki to zwykle około 5 nm lub 7 nm, więc w przypadku osiągnięcia IBM jest to imponujący skok, chociaż porównywanie rozmiarów różnych producentów nie zawsze jest dokładne.

Bardziej interesujące niż ich rozmiar jest to, że chipy te będą zbudowane w tak zwanej konstrukcji „nanopłytkowej” (ang. nanosheet). Większość nowoczesnych tranzystorów bazuje na technologii „FinFET”, w której obszar, przez który przepływa prąd w tranzystorze, jest rozciągnięty do postaci żebra.

Tranzystory nanoszkieletowe (nanopłytkowe), czyli tranzystory typu „gate-all-around”, zamieniają tę płetwę w stos pojedynczych wstążek, a projekt powinien być w stanie poprawić wydajność energetyczną i pozwolić inżynierom na łatwiejsze dostosowywanie właściwości elektrycznych różnych części chipa.

FinFET jest standardem stosowanym od 2011 roku, więc demonstracja nowego stylu tranzystora to całkiem poważna sprawa w świecie półprzewodników.

źródło: IBM | Engadget